• SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation
  • SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation
  • SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation
SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation

SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc: Đông Quản Trung Quốc
Hàng hiệu: UCHI
Chứng nhận: Completed
Số mô hình: D882

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1000pcs
Giá bán: có thể đàm phán
chi tiết đóng gói: Tiêu chuẩn
Thời gian giao hàng: 3 tuần
Điều khoản thanh toán: T/T, Western Union
Khả năng cung cấp: 5000pcs
Giá tốt nhất Tiếp xúc

Thông tin chi tiết

Làm nổi bật:

Máy bán dẫn điện tử NPN

,

Các transistor điện tử nhựa đóng gói

,

Máy bán dẫn điện tử phân tán điện

Mô tả sản phẩm

SOT-89 D882 Transistor nhựa đóng gói

 

Đặc điểm
 
Phân hao năng lượng
 
 

Tối đa Đánh giá (T)a=25°C Trừ khi có điều khác được ghi nhận)

 

Biểu tượng Parameter Giá trị Đơn vị
VCBO Điện áp cơ sở thu thập 40 V
VCEO Điện áp thu-điện tử 30 V
VEBO Điện áp cơ sở phát điện 6 V
Tôi...C Dòng điện thu - liên tục 3 A
PC Phân tán năng lượng thu thập 0.5 W
TJ Nhiệt độ giao điểm 150 °C
Tthg Nhiệt độ lưu trữ -55~150 °C

 

Đặc điểm điện ((Ta=25°C trừ khi có quy định khác)

Parameter Biểu tượng Điều kiện thử nghiệm Khoảng phút Loại Tối đa Đơn vị
Điện áp ngắt máy thu V ((BR) CBO IC = 100μA, IE = 0 40     V
Điện áp ngắt máy thu-điện tử V ((BR)CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Điện áp chia cắt cơ sở phát điện V ((BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Điện cắt bộ sưu tập ICBO VCB = 40V, IE = 0     1 μA
Điện cắt bộ sưu tập ICEO VCE = 30V, IB = 0     10 μA
Điện cắt của máy phát IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
Dòng điện đồng lợi nhuận hFE(1) VCE = 2V, IC = 1A 60   400  
  hFE(2) VCE = 2V, IC = 100mA 32      
Điện áp bão hòa bộ sưu tập và máy phát ra VCE ((sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
Điện áp bão hòa base-emitter VBE ((sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Tần số chuyển đổi FT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

CÁCH THƯƠNG hFE(1)

 

Danh hiệu R O Y GR
Phạm vi 60-120 100-200 160-320 200-400

 

Thông thường Đặc điểm

SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation 0

Muốn biết thêm chi tiết về sản phẩm này
SOT-89 D882 NPN Điện tử Transistors Nhựa Encapsulate Power Dissipation bạn có thể gửi cho tôi thêm chi tiết như loại, kích thước, số lượng, chất liệu, v.v.

Chờ hồi âm của bạn.